这是我参考手册和书之后的体会，可能理解有错，欢迎大家拍砖！
Nor和Nand方式启动切换的方式是用跳线开关实现，这里跳线的实质就是用开关来片选你nGCS0这一段存储器，也就是地址为0x0000 0000到0下0800 0000这一段。
在开机复位之后CPU会首先读这一段。这里我把他理解成磁盘的MBR。把这一段读出来放到内存SDRAM（编址0x3000 0000到0x4000_0fff），然后开始执行。
当Nor方式启动时，nGCS0片选的是NorFlash存储器作为这一段地址的存储器，当Nand方式启动时，片选的是内存SDRAM中的引导块（Boot Internal，4K）作为这一段地址的存储器。关于这个Boot Internal后文会再说。
由此我们可以看出：
无论哪一种引导方式，NandFlash都会被映射到0x0800_0000开始的地址段。
只有当Nor方式时，NorFlash才会被片选，安排到0x0000 0000到0x0800 0000这一段；从Nand引导时没有被编址，无法使用；
所以无论怎么启动，都可以操作NandFlash；
同时，如果从Nand方式启动，我们可以看出NorFlash没有被片选进来，因此无法操作其数据。
再来看看SDRAM的Boot Internal区块，按照地址的编排：
在Nor引导时，这一块分配在SDRAM的最后，也就是0x4000 0000到0x4000 0fff，相当于普通的存储器。
在Nand引导时，这块被映射到0x0000 0000到0x0000 0fff，作为CPU开机复位首先要读取的部分（传说中的4K？）
因此，我猜测Boot Internal中的代码要么是告诉CPU如何找到NandFlash的bootloader的地址并载入，要么干脆就是NandFlash的bootloader的实际存储区域。
以上分析完全可能全错！希望大家指点～
